OCP全球算力大会上，英伟达甩出一份划时代白皮书《800VDC Architecture for Next-Generation AI Infrastructure》，直接给AI数据中心（AIDC）供电划下终极标准答案——800V高压直流供电+固态变压器（SST），一举终结UPS、HVDC、巴拿马电源长达十年的路线之争！固态变压器（SST）绝非传统工频变压器的迭代，而是基于全控型电力电子器件+高频磁耦合技术重构的新型电力电子装备，彻底用硅基半导体替代铜铁铁芯，实现电压变换、电气隔离、智能调控、故障隔离、多能源接入的全功能集成，是“源-网-荷-储”一体化新型电力架构的核心枢纽。
行业共识已经形成：SST是AI数据中心供电的终极方向，也是新型电力系统的核心装备。随着“东数西算”全面推进、十五五期间AIDC装机量指数级增长，叠加SiC成本下行、量产技术成熟，SST将从“样机验证”进入“规模化商用”阶段，2026-2027年成为行业放量关键期。从光伏直挂到数据中心供电，从智能电网到轨道交通，SST的应用场景持续扩容；而英伟达的标准定调，直接加速了技术普及与产业链成熟，中国企业凭借整机研发、配套制造、场景落地的全链条优势，有望在全球SST赛道实现领跑突围。
什么是SST固态变压器（电力电子变压器）？
固态电源（Solid-State Power Supply）是采用全固态电子器件实现电能变换与控制的电源设备，无机械开关、铁芯等传统部件，核心是功率半导体+高频变换+智能控制，常见形态为固态变压器（SST/电力电子变压器PET），也涵盖固态电池供电等场景。
一、核心结构与原理
- 拓扑：一般含AC-DC整流级、高频隔离DC-DC变压级、DC-AC逆变/直流输出级。
- 流程：工频交流→整流为直流→逆变为高频交流→高频变压器隔离变压→再整流/逆变输出目标交/直流电。
- 核心器件：以SiC/GaN功率半导体替代传统铁芯线圈，高频化（kHz~MHz级）实现小型化与快速响应。
二、关键优势（vs传统电源/变压器）
- 高效：全链路效率达98%+，比传统提升3-5个百分点。
- 小型化：功率密度约5MW/m³，体积/重量减50-90%。
- 智能化：毫秒级响应，灵活调节电压/频率/功率/谐波，支持双向功率流。
- 多功能集成：变压、整流、逆变、功率因数校正、谐波抑制、故障隔离一体。
三、典型应用
- AI数据中心：支持单机柜100kW+高功率密度供电。
- 新能源汽车：超充、车载电源、双向V2G。
- 智能电网：配网柔性控制、微网、储能并网。
- 轨道交通：高效牵引供电、车载辅助电源。
- 工业电源：精密制造、半导体设备的高稳定供电。
SST固态电源面临的导热散热挑战
SST固态电源（固态变压器）的导热散热核心矛盾：高频化带来高密度损耗、内部热点难导出、绝缘与散热互相制约，最终推高系统成本与维护难度 。
一、损耗与热流密度飙升（高频是根源）
- 功率器件热流集中：SiC芯片面积小，热流密度极高，结温裕度要求严苛，均温性差易局部过热 。
- 高频磁性损耗：20–100kHz下，磁芯磁滞/涡流损耗随频率指数增长；绕组趋肤/邻近效应使交流电阻为直流电阻的数倍，铜损激增 。
- 绝缘介质损耗：高频下绝缘材料介损发热，且导热率低（环氧仅0.2W/m·K），包裹发热部件形成热阻瓶颈。
- 高功率密度：兆瓦级功率压缩在小体积，损耗密度（W/cm³）比传统变压器高1–2个数量级，风冷完全无效 。
二、核心散热难点（结构与材料的双重制约）
- 内部热点难导出：磁芯与绕组被绝缘材料包裹，热阻大，内部热点难通过常规风冷/水冷板导出，易造成局部过热 。
- 绝缘-散热冲突：水冷板贴外壳→爬电距离不足；灌油→热阻大、体积回升；绝缘加厚→热阻上升，陷入两难。
- 材料与工艺限制：常规Al₂O₃基板导热率低（24W/m·K）；SiC模块热应力大，易致陶瓷断裂；灌封材料导热差，需高导热填料，成本增加约25% 。
- 维护与成本：液冷/油冷引入泄漏风险，维护复杂，成本显著高于风冷 。
三、典型应对方向（核心策略）
- 器件与材料：SiC模块+Si₃N₄基板（导热率90W/m·K）；磁芯选纳米晶/铁氧体；绕组用利兹线/铜箔分段交错，降邻近效应损耗约40%。
- 冷却方案：内置微水道铜箔绕组，热阻<0.08K/W，体积可降约30%；油冷/液冷+绝缘优化（如VPI），缩减爬电距离约20%。
- 绝缘与热协同：Nomex+PI膜组合，控制层间场强<3kV/mm；高导热灌封（加AlN等填料），平衡绝缘与散热。
