OCS从"谷歌定制"走向广泛部署，主要驱动力：电交换芯片容量受制程限制难以持续迭代，且 51.2T 交换芯片功耗约 450W、102.4T 将超 1000W，已达风冷散热极限。
OCS通过光开关直接在光层建立连接，不需要经过电交换，大幅降低大规模AI集群中GPU之间的互联功耗和延迟。市场量级参考：全球 OCS 交换机市场，2024 年约 3.66 亿美元 ，预计 2031 年约 20.22 亿美元（QY Research）。
核心应用场景（和HBD超节点强相关）：
1）Scale-up 超节点内部（HBD64/128卡集群，锐捷超节点场景，也是现在大家主推的OCS+NPO光电融合方案） OCS用于GPU之间动态拓扑重构。针对MoE、大模型张量并行，按模型通信特征动态调整GPU分组，解决固定布线资源碎片化；配合Retimer、800G端口，实现多机柜并柜的HBD128扩展。
2）Scale-out 跨Pod/跨机柜Spine层（谷歌场景） OCS承担直连光路，减轻电Spine交换机带宽压力，短包、突发小流量仍然交给电包交换机。形成“电Leaf + OCS光Spine”的混合叶脊架构。 3）Scale-across 跨集群/跨数据中心 超大端口OCS搭配DWDM相干模块，用于不同智算集群之间长距离算力池化调度。
OCS呈现多条技术路线并行：MEMS成熟度最高，主打超大端口；硅光热光、相变光子为固态新路线，低功耗无机械部件，处于样机验证阶段。2026为验证元年，2027–2028逐步规模化商用，调度软件、链路插损、跨厂商标准化是现阶段主要瓶颈。除传统 OCS 厂商外，光模块厂商与硅光企业开始切入 OCS（硅光 OCS 全光交换机产品矩阵、结合高速光模块与硅光/MEMS 的 OCS 方案，目标微秒级光路切换）。
OCS未来应用趋势：
1）端口规模演进：短期，32×32 / 64×64 OCS，用于128卡以内超节点HBD集群验证； 中期，MEMS路线320×320级别大规模商用，支撑万卡集群； 远期，固态OCS逐步提升端口规模，替代MEMS机械结构。
2）切换速度：从毫秒静态调度，走向微秒级快速重构。当前MEMS主流是毫秒级，适合任务级慢重构，下一代固态OCS做到微秒/纳秒级，未来尝试在训练过程中动态实时切换拓扑，适配动态变化模型流量。
3）软件与管控是落地瓶颈，SDON智能调度平台成为标配。
1、光迅科技（MEMS）
展出320×320超大端口MEMS OCS，芯片、微镜阵列、FAU光纤阵列全栈自研。插损~1.5 dB，串扰＜-50 dB，PDL≤0.2dB，切换时间5~10 ms。
2、Coherent OCS（基于高意独有的数字液晶LCOS技术）
提供从64×64 到 320×320 直至 512×512的多种无阻塞配置选择。端口规格覆盖64×64、320×320，最高512×512，展会展品为320端口级机型。
插损2.0~3.0 dB，串扰＜-45 dB，PDL≤0.3 dB，延迟纳秒级光速传输，光路切换毫秒级配置时间~100ms。
3、光库（MEMS）
展品为320×320 MEMS OCS光交叉开关、OCS/WSS专用FAU二维光纤阵列。
端口规格：320对TX/RX，7U机架，LC光纤接口，无阻塞全光交换。光路固有时延<30ns，单条光路建立时间＜50ms，整机全部端口重配置＜200ms。
典型插损1.5dB，最大插损3dB；工作波段O/S/C波段(1260~1630nm)；光串扰-60dB；回损典型41dB。整机典型功耗45W，远低于电交换机。 FAU for OCS/WSS 二维光纤阵列单元（136入/出），专门配套MEMS OCS、WSS、ROADM。单通道典型插损≤0.1dB，回损≥50dB，纤芯定位精度＜0.5μm，满足MEMS微镜阵列的光束准直耦合。
4、欧亿光电（MEMS） 128*128 IL=1dB，串扰50dB。
5、三石园科技（MEMS ）
展出512×512 OCS（T-512）、64×64 OCS两款机型。64×64 OCS（2U机架式）典型插入损耗：1.3dB。
展出512×512，对标海外DiCon等厂商方案。插损2.0~3.0dB，串扰＜-50 dB，PDL ≤0.3 dB，切换时间 5~20 ms。
6、孛璞半导体（硅光热光MZI OCS） 32×32样机，无机械运动部件，切换速度100~300μs，整机功耗仅约10W，规划迭代64×64、128×128版本。优势是体积小、固态无机械失效风险，适合中小规模超节点集群，短板是端口规模上限低于MEMS。插损≤5 dB（目标 2027 降到 4dB），串扰＜-45 dB，切换时间10~300 μs。
7、苏州易缆微（硅光异质集成薄膜钽酸锂） 基于8×8拓扑结构的OCS芯片架构设计，64×64正在研发中。基于异质集成薄膜钽酸锂，片上插损1.5dB，耦合插损未知，串扰＜-40 dB，切换时间<10 ns，开关单元功耗约为10nW。
