一、项目背景与测试痛点
某工业电源企业研发3kW 高压开关电源，输入电压 1200V，开关频率 100kHz，采用 SiC MOS 管，研发阶段遇到典型难题：
传统无源单端探头不能浮地，测栅源极（Vgs）易造成共地短路；
普通差分探头带宽不足（<50MHz），高频驱动波形严重失真；
高压下共模干扰大，波形噪声多，无法精准测量上升沿、尖峰与纹波；
耐压不足（<600V），多次出现探头损坏、示波器烧毁风险。
项目急需一款可浮地、150MHz 带宽、1600V 耐压、共模抑制高的高压差分探头，用于 MOS 管 Vgs 驱动信号高精度测量，定位开关损耗与发热异常问题。
二、选用设备与核心参数
PKDV5161 高压差分探头（PRBTEK）
带宽：150MHz，上升沿≤2.3ns
量程：20X（±160V）/ 200X（±1600V）
差分输入阻抗：20MΩ/2pF，负载影响小
共模抑制比：>60dB@100kHz，抗共模干扰强
安全等级：CAT III 600V / CAT II 1000V，过载声光报警
示波器：150MHz 带宽，输入阻抗设 1MΩ
被测件：3kW 1200V 输入 SiC 开关电源样机
三、测试方案与操作步骤
连接方式（浮地测量）
PKDV5161 的 BNC 接示波器 CH1；
红夹接 MOS 管栅极 G，黑夹接源极 S，完全不共地；
Type‑C 口接 5V/2A 供电，开机预热 20 分钟。
探头设置
档位切至200X（适配 ±1200V）；
开启5MHz 带宽限制，滤除高频噪声；
输入端短路，一键调零，消除基线偏移。
示波器设置
输入阻抗：1MΩ；
衰减匹配：200X；
时基：50ns/p，电压：20V/p。
四、测试结果与价值
波形干净无失真：成功测得 SiC MOS 管 Vgs 驱动波形，无共地干扰、无接地环路；
上升沿精准：实测上升沿≤2.5ns，与器件规格一致，用于优化驱动电阻，开关损耗降低 12%；
噪声抑制强：5MHz 限制 + 高共模抑制，尖峰噪声从 ±80V 降至 ±15V，纹波测量精度提升；
安全可靠：多次超压测试，探头过载报警正常，无损坏；
效率提升：相比传统方案，调试周期缩短 30%，快速定位驱动过冲导致的 MOS 管发热问题。
五、结论
PKDV5161 凭借150MHz 带宽、1600V 耐压、浮地测量、高共模抑制四大核心优势，完美解决高压开关电源 MOS 管驱动测量的痛点，是工业电源、SiC/GaN 快充、高压变换器研发与量产测试的优选高压差分探头。
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